研究不同錫含量的鉛錫合金電在硫酸溶液中陽(yáng)膜的生成情況.高電位循環(huán)伏安和恒電位1h后的線性電位掃描測(cè)試表明:PbO2陽(yáng)膜的還原峰電流和還原電量均隨著錫含量的增加而減小,第10次循環(huán)伏安掃描時(shí),由含錫0％時(shí)的電流及電量10.62 mA和0.71mC降至含錫1.73％時(shí)的7.82 mA和0.52 mC;在恒電位1.5V的線性電位掃描中,電流及電量由含0％錫時(shí)的0.95 mA和1.43×10-2 mC下降至含1.73％錫時(shí)的0.61 mA和9.79×10-2 mC.在恒電位0.9V的線性電位掃描中,PbO+ PbO·PbSO4陽(yáng)膜的還原峰電流隨著錫含量的增加而減小,由含0％錫時(shí)的0.62 mA減小至含1.73％錫時(shí)的0.13 mA;但含0.61％錫時(shí)的還原峰電量大,可能與錫氧化物還原有關(guān).隨著錫含量增加,鉛(Ⅱ)陽(yáng)膜的電導(dǎo)增強(qiáng).SEM結(jié)果表明,添加錫可使電上PbO2膜的裂縫增加,并細(xì)化鉛(Ⅱ)陽(yáng)膜.

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